Корпорация Mitsubishi Electric начинает производство карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки

МОСКВА, 15 марта 2017 г. – Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д. Особенности 1) Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства - Улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21 % по сравнению с изделиями на основе кремния (Si). - Обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели. 2) Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS) - Объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом. - Структура JBS помогает достичь высокой надежности. График поступления образцов в продажу Серия Модель Корпус Номинал Поставка SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 В 1 марта 2017 г. BD20060S TO-247 1 сентября 2017 г. Основные характеристики Модель BD20060T BD20060S Номинал 20 A/600 В Прямой импульсный сверхток 155 A (8,3 мс, синусоидальная форма) Прямое напряжение диода 1,35 В Корпус TO-220 TO-247 Размеры 10,1×29,0×4,7 мм 15,9×41,0×5,0 мм Начиная с 2010 года, когда в продажу был впервые выпущен силовой модуль с SiC-кристаллами, корпорация Mitsubishi Electric продолжает работать над уменьшением размеров инверторов и снижением потребления энергии. В связи с растущим спросом на энергоэффективные системы электропитания потребители все чаще выбирают изделия с SiC-SBD. Экологическая безопасность Продукция отвечает требованиям директивы 2011/65/EU, ограничивающей содержание вредных веществ (RoHS) в электрических и электронных компонентах. Примечание: разработка изделия проходила с частичной поддержкой японской Организации по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).